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    碳化硅磁選plc

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  • 我成功研制世界口徑單體碳化硅反射鏡新華網(wǎng) 新華社

    2018年8月23日 這是公開(kāi)報(bào)道的世界上口徑碳化硅單體反射鏡,標(biāo)志我國(guó)光學(xué)系統(tǒng)制造能力躋身國(guó)際先進(jìn)水平,為我國(guó)大口徑光電裝備跨越升級(jí)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ) 

  • 碳化硅MOSFET STMicroelectronics

    ST 的碳化硅MOSFET 產(chǎn)品系列具有業(yè)界的200°C額定工作結(jié)溫,顯著降低了總功率損耗,令系統(tǒng)更有效、更小、更輕。

  • Silicon Carbide (SiC) Infineon Technologies

    碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。特別是,碳化硅具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度 

  • 碳化硅二極管 碳化硅二極管 STMicroelectronics

    ST 的碳化硅二極管產(chǎn)品系列電壓范圍從600到1200 V,包括單、雙二極管。 它們有多種封裝,從DPAK到TO247以及絕緣的TO220AB/AC,為設(shè)計(jì)者們提供了極大的 

  • 碳化硅二極管 碳化硅二極管 STMicroelectronics

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  • 碳化硅_上海有色網(wǎng)

    2017年6月6日 碳化硅(SiC)又稱(chēng)碳硅石、金鋼砂、耐火砂,是用石英砂、石油焦(或煤 煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。

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  • 材料技術(shù)(SiC、碳) 伊格爾工業(yè)株式會(huì)社

    SiC (Silicon Carbide;碳化硅)的特點(diǎn). 高硬度 硬度僅次于金剛石、碳化硼 耐磨性 耐磨性優(yōu)于硬質(zhì)合金 低摩擦系數(shù) 約為硬質(zhì)合金的一半→密封壽命大幅延長(zhǎng) 

  • 我成功研制世界口徑單體碳化硅反射鏡新華網(wǎng) 新華社

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  • CoolSiC? MOSFET Infineon Technologies

    與傳統(tǒng)的基于的硅的IGBT和MOSFET開(kāi)關(guān)相比,碳化硅MOSFET提供了一系列優(yōu)勢(shì)。CoolSiC? MOSFET 1200V系列的先導(dǎo)產(chǎn)品聚焦光伏逆變器、充電裝置和儲(chǔ)能的 

  • CoolSiC? MOSFET Infineon Technologies

    與傳統(tǒng)的基于的硅的IGBT和MOSFET開(kāi)關(guān)相比,碳化硅MOSFET提供了一系列優(yōu)勢(shì)。CoolSiC? MOSFET 1200V系列的先導(dǎo)產(chǎn)品聚焦光伏逆變器、充電裝置和儲(chǔ)能的 

  • 碳化硅(SiC) Infineon Technologies

    碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。特別是,碳化硅具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度 

  • SiC、碳 伊格爾工業(yè)株式會(huì)社

    SiC (Silicon Carbide;碳化硅)的特點(diǎn). 高硬度 硬度僅次于金剛石、碳化硼 耐磨性 耐磨性優(yōu)于硬質(zhì)合金 低摩擦系數(shù) 約為硬質(zhì)合金的一半→密封壽命大幅延長(zhǎng) 

  • 碳化硅MOSFET STMicroelectronics

    ST 的碳化硅MOSFET 產(chǎn)品系列具有業(yè)界的200°C額定工作結(jié)溫,顯著降低了總功率損耗,令系統(tǒng)更有效、更小、更輕。

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