C6X系列颚式破碎
颚式破碎机通过对设备结构、破碎腔型、动颚运动轨迹和转速参数的优化，获得合理的惯性矩和更大的破碎冲程
颚式破碎机通过对设备结构、破碎腔型、动颚运动轨迹和转速参数的优化，获得合理的惯性矩和更大的破碎冲程
该系统可连续检测破碎机并提供告警，显示各种运行参数，操作员可以实时了解破碎机运行情况。该系统不仅简化了生产线操作，节省人力成本
CI5X系列反击式破碎机在分析了大量国内外反击式破碎机技术和工况的基础上，将破碎腔、转子和调整装置等多项公司较新科研成果进行整合应用
针对砂石市场对规模化、集约化、节能环保以及高品质机制砂的需求增加，在数千台冲击破制砂整形应用技术基础上，进一步对冲击破的结构和功能进行优化设计
为了避免传统磨机研磨过程中出现的物料停留时间长，重复研磨，含铁量高等问题，我们专门设计了独特的辊套和衬板研磨曲线
MB5X摆式悬辊磨粉机磨辊装置采用稀油润滑，该技术在国内属于首创，免维护、易操作。稀油润滑为油浴润滑，无需频繁加油
面对市场传统机制砂石级配不合理，含粉，含泥量过高，粒型不达标等问题，开创了楼站式和平面式高品质机制砂石成套加工系统，攻克了优化工艺中破、磨、选的难题
其在结构设计、设备配置和组合应用等都进行了优化和创新，组合更灵活，大大拓宽了轮胎式移动破碎站的应用领域
新型设计的磨辊磨环研磨曲线，更加提升研磨效率。在成品细度和功率相同的情况下，产能较气流磨、搅拌磨高出40%
2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子 臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。".
2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。 碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣 幸運的是,生產中使用滲氮工藝可使造成這些接口問題的缺陷大大降低。
2017年12月22日 時代電氣半導體事業部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務,為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的"
2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。 同時,設備的銷售價格可控制在同類進口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的
2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件
2017年10月26日 近日,863計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。,中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟.
【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進國際上先進的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產生產線。
2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
近日,863 計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC 材料與器件的制造設備與工藝技術 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導.
2018年6月6日 臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里" 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。
工藝說明. 寧夏是亞洲的碳化硅優質原材料的主要產區之一,憑借這一得天獨厚的優勢,結合先進的配方與生產技術,我們掌控了原材料采購、粉體制造、壓制成型及
2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子 臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 光刻膠是整個光刻工藝的重要部分,也是國際上技術門檻的微電子
寧波密克斯新材料科技有限公司專業生產無壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創辦人陳 我們的生產工藝全球。兩種材料都 生產所需的關鍵設備全部從歐美進口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您
完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制；. ? 全生產流程可控,
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。 同時,設備的銷售價格可控制在同類進口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐,其結構由爐底、
2018年7月2日 第三代半導體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實現以上工藝的設備有,氧化爐、光刻機、顯影機、刻蝕機、鍍膜機、注入
2018年7月2日 第三代半導體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實現以上工藝的設備有,氧化爐、光刻機、顯影機、刻蝕機、鍍膜機、注入
公司依托于中國科學院物理所十余年在碳化硅領域的研究成果,集技術、管理、市場和 全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會會員單位 中關村國家自主創新 自行研發了碳化硅晶片加工的關鍵工藝技術：針對超硬的碳化硅,選取適當
2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子 臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 光刻膠是整個光刻工藝的重要部分,也是國際上技術門檻的微電子
高剛性研磨盤是對藍寶石、碳化硅等難磨材料進行研磨的設備。 CMP裝置. CMP設備. CMP是在IC 制造工程中晶圓表面平坦化工藝之一環,使用化學研磨劑、研磨墊
近日,863 計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC 材料與器件的制造設備與工藝技術 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導.
碳/碳化硅是一種復合材料,其將碳纖維結合在陶瓷基料中,并將材料的物理特性發揮 形狀接近幾何公差的結構部件 高溫應用部件 化學工藝設備用部件 航空航天
碳化硅材料是一種寬禁帶半導體材料,其耐高溫、耐高壓的特性特別適合制作大功率 隨著SiC器件生產工藝技術的突破,碳化硅器件得到了快速的發展,其相關設備也在
2018年1月15日 近日,中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件,
我公司不僅僅源于過硬的產品和的解決方案設計，還必須擁有周到完善的售前、售后技術服務。因此，我們建設了近百人的技術工程師團隊，解決從項目咨詢、現場勘察、樣品分析到方案設計、安裝調試、指導維護等生產線建設項目過程中的系列問題，確保各個環節與客戶對接到位，及時解決客戶所需
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由于當地天然砂石供應不足，該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求，看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機