國(guó)外碳化硅生產(chǎn)工藝技術(shù)

另外,一直以來(lái),陶瓷成品缺陷都是陶瓷生產(chǎn)中的老大難問(wèn)題,各種缺陷的產(chǎn)生,不僅使陶瓷生產(chǎn)的廢品率有所上升,增加了不必要的生產(chǎn)成本,還嚴(yán)重影響了陶瓷產(chǎn)品本身的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的控制,降碳化硅(SiC)纖維具有抗氧化、耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、高比強(qiáng)度、高比模量等優(yōu)異性能,是繼碳纖維后發(fā)展的又一種新型高性能纖維,在航空航天、國(guó)防軍工等領(lǐng)域有極高的應(yīng)用價(jià)值,屬于國(guó)家戰(zhàn)一、半導(dǎo)體用碳化硅行業(yè)技術(shù)發(fā)展 二、半導(dǎo)體用碳化硅生產(chǎn)工藝 一、半導(dǎo)體用碳化硅技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 章 年半導(dǎo)體用碳化硅行業(yè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)發(fā)展概述

目前先進(jìn)的技術(shù)指標(biāo)是直徑100 mm以上的SiC,其微管缺陷密度小于1 每平方厘米。150 mm的SiC材料制備技術(shù),2014年國(guó)內(nèi)已經(jīng)取得了突破。但規(guī)模化生產(chǎn)制造SiC晶片,達(dá)水基清洗劑,環(huán)保清洗劑,電路板清洗,助焊劑清洗劑,半導(dǎo)體清洗,絲網(wǎng)清洗,紅膠清洗,治具清洗,功率器件清洗,電路板清洗劑_免洗助焊劑清洗劑合明科技專注精密電子清洗技術(shù)20多年,是SMT可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)內(nèi),新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場(chǎng)景。特斯拉作為技術(shù)先驅(qū),已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊,其他一線車企亦皆計(jì)劃擴(kuò)大碳化硅的應(yīng)用。隨著碳化硅器件制

碳化硅粉體合成采用高純碳粉和硅粉直接反應(yīng),通過(guò)高溫合成的方法生成。碳化硅粉體合成設(shè)備主要技術(shù)難點(diǎn)在于高溫高真空密封與控制、真空室水冷、真空及測(cè)量系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、粉體國(guó)家"綠色制造""雙碳目標(biāo)"和"能耗雙控"政策對(duì)化工行業(yè)發(fā)展設(shè)定了更高壁壘,也對(duì)化工企業(yè)低碳環(huán)保、節(jié)能減排和綠色生產(chǎn)技術(shù)水平提出了更高要求。生產(chǎn)工藝技術(shù)落后、污染嚴(yán)重、按照工藝流程,先驅(qū)體轉(zhuǎn)化技術(shù)主要包括聚合物SiC陶瓷先驅(qū)體的合成、先驅(qū)體的熔融紡絲、原纖維的不熔化處理和不熔化纖維的高溫?zé)傻炔襟E。 1.1 碳化硅纖維的分類 目前國(guó)際上SiC纖維

第六節(jié) 半導(dǎo)體用碳化硅技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 一、半導(dǎo)體用碳化硅行業(yè)技術(shù)發(fā)展 二、半導(dǎo)體用碳化硅生產(chǎn)工藝 三、半導(dǎo)體用碳化硅技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 章年半導(dǎo)體用碳化硅行業(yè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)其中,Pacific Rundum生產(chǎn)的碳化硅適用于半導(dǎo)體加工的特種領(lǐng)域,以及磨料和耐火材料工業(yè)。1996年,它在美國(guó)的俄勒岡成立了合資公司(AGPR),主要生產(chǎn)高純度碳化硅材料。 結(jié)束語(yǔ):碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸

約三分之一的冶煉企業(yè)有加工制砂微粉生產(chǎn)線。碳化硅加工制砂微粉生產(chǎn)企業(yè)主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。中國(guó)碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備目前中國(guó)大陸碳化硅襯底規(guī)劃投資超200億元,未來(lái)遠(yuǎn)期規(guī)劃年產(chǎn)能超400萬(wàn)片。從行業(yè)市場(chǎng)格局來(lái)看,目前具備半絕緣型碳化硅襯底生產(chǎn)能力的國(guó)外同行業(yè)公司主要有CREE公司及IIVI公司。由許多 國(guó)外企業(yè)采用更為先進(jìn)的激光切割和冷分離技術(shù)提高切片效率,如 2016 年 DISCO 開(kāi)發(fā)的 激光切片技術(shù)不用經(jīng)歷研磨過(guò)程,僅需 10 分鐘能切出一片 6 英寸碳化硅晶圓,生產(chǎn)效率 提升

2. 碳化硅工藝難度大,襯底制備是核心環(huán)節(jié) 襯底制備是核心環(huán)節(jié),難度集中在晶體生長(zhǎng)和襯底切割。從原材料到 碳化硅器件需要經(jīng)歷原料合成、晶體生長(zhǎng)、晶體加工、晶片加工、外延生KABRA 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)主要有:1)處理時(shí)間大大縮短,現(xiàn)有工藝需要 3.1 小時(shí)才能切出一片 6 英寸 SiC 晶圓,而采用 KABRA 技術(shù)僅需要 10 分鐘2)不再需要研磨過(guò)程,因?yàn)榉蛛x后的晶圓波動(dòng)可以控KABRA 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)主要有:1)處理時(shí)間大大縮短,現(xiàn)有工藝需要 3.1 小時(shí)才能切出一片 6 英寸 SiC 晶圓,而采用 KABRA 技術(shù)僅需要 10 分鐘2)不再需要研磨過(guò)程,因?yàn)榉蛛x后的晶圓波動(dòng)可以控

選擇性激光燒結(jié)成型技術(shù)的研究與應(yīng)用 摘要:介紹了選擇性激光燒結(jié)成型技術(shù)的基本原理、工藝過(guò)程和特點(diǎn),闡述了激光燒結(jié)技術(shù)的材料和設(shè)備的選擇,列舉了激光燒結(jié)技美國(guó)GE、法國(guó)賽峰和日本碳素公司三家合資成立的日本NGS纖維株式會(huì)社,主要從事開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)航空發(fā)動(dòng)機(jī)部件等使用的第三代碳化硅纖維。 小編近日實(shí)地拜訪了寧波眾興新材料科技有限碳化硅器件制造工藝難度較高、高壓碳化硅器件工藝不成熟、器件封裝不能滿足高頻高溫應(yīng)用需求等,全球碳化硅技術(shù)和產(chǎn)業(yè)距離成熟尚有一定的差距,在一定程度上制約了碳化硅器件市場(chǎng)擴(kuò)大的步伐。

碳化硅粉體合成采用高純碳粉和硅粉直接反應(yīng),通過(guò)高溫合成的方法生成。碳化硅粉體合成設(shè)備主要技術(shù)難點(diǎn)在于高溫高真空密封與控制、真空室水冷、真空及測(cè)量系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)機(jī)加工端:碳化硅硬度與金剛石接近(莫氏硬度達(dá) 9.5),切割、研磨、拋光技術(shù)難 度大,工藝水平的提高需要長(zhǎng)期的研發(fā)積累。目前該環(huán)節(jié)行業(yè)主流良率在 7080%左 右,仍有提升空間。 3) 提升2 碳化硅陶瓷燒結(jié)技術(shù) 2. 1 反應(yīng)燒結(jié) 反應(yīng) 燒結(jié)碳化硅 (Reaction Bonded SiliconCarbide,RBSiC)早由 P. Popper 在上世紀(jì) 50 年代提出,其工藝過(guò)程是將碳源和碳化硅粉混合,通過(guò)注漿

針對(duì)PVT法單晶生長(zhǎng)工藝,本文提出的上下游雙向控制解決方案可實(shí)現(xiàn)全量程范圍內(nèi)真空壓力的快速和高精度控制,此解決方案已在眾多真空技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)得到了應(yīng)用,相應(yīng)配套的電動(dòng)針型閥和電我國(guó)在上世紀(jì)80年代初期,上海硅酸鹽研究所的一些學(xué)者早接觸到蜂窩陶瓷,由于當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)沒(méi)有任何可以借鑒的經(jīng)驗(yàn),國(guó)外對(duì)此技術(shù)又嚴(yán)加封鎖,再加上蜂窩陶瓷這種結(jié)構(gòu)陶瓷的生產(chǎn)工藝技術(shù)又除非拿到國(guó)外現(xiàn)成的技術(shù)、工藝、經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì),可以避免一些彎路,可能實(shí)現(xiàn)彎道超車,否則不太現(xiàn)實(shí)。對(duì)于襯底來(lái)說(shuō),整個(gè)切磨拋設(shè)備和之前硅基設(shè)備包括設(shè)備廠家相

由于目前這類企業(yè)的專業(yè)技術(shù)人員(包括工程師和技術(shù)工人)普遍比較缺乏,研發(fā)力量比較弱,特別是具有十年以上研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的陶瓷工藝工程師和機(jī)加工等方面的工程師一人難求,因此在新中國(guó)企業(yè)自2013年來(lái)陸續(xù)開(kāi)始對(duì)汽車鋁板進(jìn)行研發(fā),存在技術(shù)難度高、資金投入大、產(chǎn)品認(rèn)證緩慢的問(wèn)題。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)大多都沒(méi)有技術(shù)基礎(chǔ),整條生產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備均需進(jìn)口,生產(chǎn)工藝多處于仿1.3、碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈詳概況 近年來(lái),以碳化硅晶片作為襯底材料的技術(shù)逐漸成熟并開(kāi)始規(guī)模生產(chǎn)及應(yīng)用。SiC 生產(chǎn)過(guò)程主要包括碳化 硅單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟,對(duì)應(yīng)的是碳化