250TPH河卵石機制砂生產線
由于當地天然砂石供應不足,該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求,看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機
2018年1月30日 時代電氣半導體事業部6英寸碳化硅(SiC)生產線是國內首條6英寸SiC 實現SiC 二極管和MOSFET芯片工藝流程整合,成功試制1200V SiC肖特基 
CNA * 中國電子科技集團公司研究所 降低碳化硅晶體雜質并獲得高純半絕緣碳化硅晶體的方法. Family To Family Citations.
2017年5月24日 碳化硅襯底片是典型的技術密集型和資金密集型產業,高良品率、高穩定性的長晶工藝技術是其核心。"中國兵器工業集團科學家魏化震表示, 
Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 
文摘對幾種常用反射鏡材料的物理性能和工藝性能進行了比較,研究了碳化硅輕質 工藝,結果認為:反應燒結是實現這種材料作為反射鏡材料的巨大潛力的有效的 
2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件 
2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實現低成本的SiC功率MOSFET 碳化 
碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩定性,熱彭脹系數小,熱導率大,硬度高,抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。在汽車、機械化工、 
碳化硅的結構特性及優缺點. 碳化硅(SiC)俗稱金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化 
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或 
結果表明: 取消了活化工藝后, 在碳化硅表面仍然得到了較好的銅包覆層。 關鍵詞: 碳化硅 化學鍍銅 活化工藝. 中圖分類號: TB333搖搖文獻標識碼: A搖搖文章編號: 
過去幾年來,基于碳化硅(SiC)的功率半導體解決方案的使用大幅增長, 碳化硅器件能夠很好地應對上述所有市場挑戰。 硅產品具備相同的可靠性和工藝穩定性。
碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性,在汽車、機械 
您的位置: 首頁 > 碳化硅罐梭式窯生產工藝. 產品. 粉末冶金類 · 煉鋼海綿鐵類 · 釩鈦磁鐵礦海綿鐵類 · 紅土鎳礦海綿鐵隧道窯 · 碳化硅罐梭式窯生產工藝 · 直接還原 
研究領域. 碳化硅器件工藝制造及其可靠性測試分析 2 ) 高壓碳化硅器件高溫氧化工藝技術研究, 主持, 院級, ( 3 ) 碳化硅高能高溫離子注入關鍵 
2017年5月24日 碳化硅襯底片是典型的技術密集型和資金密集型產業,高良品率、高穩定性的長晶工藝技術是其核心。"中國兵器工業集團科學家魏化震表示, 
碳化硅的結構特性及優缺點. 碳化硅(SiC)俗稱金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化 
【摘要】:碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化性能強、抗熱震性佳、熱穩定性強、熱膨脹系數低以及導熱系數高等優點,一直是材料學研究熱點之一。本文在前 
2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實現低成本的SiC功率MOSFET 碳化 
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或 
Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 
對碳化硅機械密封試樣端面進行激光表面微織構的加工工藝試驗研究, 和掃描速度等激光加工工藝參數對微凹腔和微凹槽織構的幾何形貌參數與加工質量的影響,結.
完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制;. ? 全生產流程可控, 
隨著市場競爭愈演愈烈,基礎材料的成本不斷降低,碳化硅的供應鏈變得越來越穩健。意法半導體一直在努力改善材料和工藝質量。隨著材料和基于SiC技術的產品 變 
2018年1月24日 在微電子所的技術支持和協助下,株洲中車時代電氣股份有限公司國內首條6英寸碳化硅(SiC)芯片生產線順利完成技術調試,廠務、動力、工藝、 
我公司不僅僅源于過硬的產品和的解決方案設計,還必須擁有周到完善的售前、售后技術服務。因此,我們建設了近百人的技術工程師團隊,解決從項目咨詢、現場勘察、樣品分析到方案設計、安裝調試、指導維護等生產線建設項目過程中的系列問題,確保各個環節與客戶對接到位,及時解決客戶所需
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