aln燒結(jié)

AlN Ceramics高熱導(dǎo)可加工氮化鋁陶瓷 散熱陶瓷氮化鋁定制 山東鵬程陶瓷新材料科技有限公司4年 月均發(fā)貨速度:暫無記錄 山東 淄博市張店區(qū) ￥5.00 靜電吸盤氮化鋁陶瓷 ALN加熱盤 黑AlN(氮化鋁)陶瓷具有各種優(yōu)異的性能,尤其是高熱導(dǎo)率和低介電性能,使其在電子基板封裝材料、耐熱材料等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。市場(chǎng)上多用常壓燒結(jié)工藝來制備AlN陶瓷,但是該燒結(jié)工藝制備出的AlN陶As the content of silicon carbide (αSiC) increases, the flexural strength and dielectric constant show a gradually increasing trend. When the SiC content is 10wt%, th

AlN陶瓷燒結(jié)后期或終了,燒結(jié)助劑相應(yīng)對(duì)Al2O3是浸潤(rùn)的,而對(duì)AlN是失浸潤(rùn)的。 在AlN陶瓷燒結(jié)過程中,高溫、長(zhǎng)時(shí)間保溫和含有H2、CO氣氛等條件下會(huì)有利于陶瓷熱導(dǎo)率性能的提高。AlN屬于共價(jià)化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,燒結(jié)致密化非常困難,通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結(jié)助劑來促進(jìn)燒結(jié),但仍需要1800℃以上的燒結(jié)溫度。 近以25MPa高壓,1700℃下燒結(jié)4h便制得了密度為3.26g/cm3、熱導(dǎo)率為200W/(m.K)的AlN陶瓷燒結(jié)體,AlN晶格氧含量為0.49wt%,比1800℃下燒結(jié)8h得到的AlN燒結(jié)體的晶格氧含量(1.25wt%)低了60%

項(xiàng)目名稱 低溫?zé)Y(jié)高性能ALN陶瓷及其熱導(dǎo)和介電性能研究 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 周和平 負(fù)責(zé)人職稱 教授 項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào) 資助金額 10 萬元 學(xué)科分類 E0208.無機(jī)非金屬能量轉(zhuǎn)換介紹AlN陶瓷的典型性能和導(dǎo)熱機(jī)理討論AlN粉末的5種合成方法:鋁粉直接氮化法、A1203碳熱還原法、化學(xué)氣相沉積法、溶膠一凝膠法、自蔓延高溫合成法和等離子化學(xué)【摘要】:正 通常生產(chǎn)AlN陶瓷基片需要在氮?dú)獗Ｗo(hù)下采用高溫(1850℃左右)、長(zhǎng)時(shí)間保溫(4小時(shí)左右)燒結(jié),燒成周期長(zhǎng),生產(chǎn)成本高,導(dǎo)熱率及其他性能有待進(jìn)一步提高。本研究采用兩

AlN燒結(jié),本產(chǎn)品采用國際先進(jìn)的粉末冶金技術(shù),將高電導(dǎo)率的銀銅合金直接燒結(jié)在氮化鋁陶(ALN)瓷基片上,可廣泛應(yīng)用于電子厚膜電路,微型半導(dǎo)體制冷器基板,電力控制電路,電力半導(dǎo)體模塊,固態(tài)繼電器,是子加熱設(shè)備增刊l稀有金屬材料與工程V01.37,Suppl.12008RAREMrEl'ALMATERIALSENGINEERINGJanm2008熱壓燒結(jié)AlN(1.中南大學(xué)粉末冶金國家實(shí)驗(yàn)室,湖南長(zhǎng)沙)(2.長(zhǎng)沙以碳熱還原法生產(chǎn)的AlN粉體為原料,用國產(chǎn)六面頂壓機(jī),在5.0 GPa,1 300～1800℃,在無燒結(jié)助劑的情況下,高壓燒結(jié)制備了AlN陶瓷。用X射線衍射、掃描電鏡對(duì)高壓燒結(jié)AlN陶瓷微觀結(jié)

本實(shí)驗(yàn)采用無壓燒結(jié)技術(shù),以Y2O3為燒結(jié)助劑制備AlN陶瓷。閃光法測(cè)試AlN陶瓷在室溫到300℃的溫度關(guān)系。結(jié)果表明:在25～300℃,AlN陶瓷熱導(dǎo)率隨溫度升高而降低熱導(dǎo)率較高的AlN試樣熱8、陷,熱導(dǎo)率低于及理論值,加入燒結(jié)助劑可以與氧反應(yīng),使晶格完整化,進(jìn)而提高熱導(dǎo)率。燒結(jié)助劑對(duì)導(dǎo)熱率的影響Y3Al5O12(3:5) YAlO4(1:1) Y4Al2O9(4:2) 燒結(jié)AlN陶瓷使用的燒結(jié)助劑主要氧與AlN有較強(qiáng)的親合力,它會(huì)固溶到AlN的點(diǎn)陣中,近而形成鋁空位。晶格呈現(xiàn)出非諧性,影響散射聲子,引發(fā)熱導(dǎo)率惡化。另外,AlN熔點(diǎn)大于2 200 ℃,原子自擴(kuò)散系數(shù)小,難以致密燒結(jié),

使用Y2O3CaO系燒結(jié)助劑的AlN陶瓷常采用常壓燒結(jié)和熱壓燒結(jié)兩種工藝制備。常壓燒結(jié)制備的AlN陶瓷的相分布在AlN陶瓷晶界,可以降低燒結(jié)體的氧含量熱壓燒結(jié)AlN陶瓷是在N2氣氛下石機(jī)械力活化合成AlN粉末是降低合成溫度,縮短反應(yīng)時(shí)間以及降低隨后氮化鋁陶瓷燒結(jié)溫度的經(jīng)濟(jì)有效的技術(shù)。本文圍繞機(jī)械力化學(xué)效應(yīng)對(duì)AlN粉末碳熱還原反應(yīng)機(jī)制的影響,及其在降低氮利用金相顯微鏡、粒度分析儀、掃描電子顯微組和透射電子顯微鏡,系統(tǒng)地研究了球磨工藝(轉(zhuǎn)速、時(shí)間)、SPS燒結(jié)溫度、納米AlN含量以及熱擠壓變形對(duì)AlN_(np)/6061Al復(fù)合材料顯微組

AlN燒結(jié)助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物,燒結(jié)助劑主要有兩方面的作用:一方面形成低熔點(diǎn)物相,實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié),降低燒結(jié)溫度,促進(jìn)坯體致密化另一方面,高熱導(dǎo)率是AlN基板的重要性能,而實(shí)現(xiàn)AlN摘要:利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)氮化鋁,不加任何添加劑,在1800℃的燒結(jié)溫度、25MPa的壓力下,僅保溫4min,可達(dá)到99%的理論密度,SEM表明試樣內(nèi)部晶粒細(xì)小,結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)是借助外部施壓,依靠AlN粉末顆粒之間的相互作用力使坯體保持一定的形狀和致密度高致密坯體,其有利于陶瓷燒結(jié),可以降低燒結(jié)溫度,提高陶瓷致密度。由于AlN粉末易水解,干壓成型中

AlN陶瓷基板材料熱導(dǎo)率與燒結(jié)助劑的研究進(jìn)展 AlN陶瓷因具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能,被認(rèn)為是替代Al2O3和BeO陶瓷的理想基板材料。主要討論了(3)研究了溶液燃燒合成納米AlN粉末的常壓燒結(jié)致密化規(guī)律,研究了燒結(jié)助劑、壓制壓力以及預(yù)處理對(duì)致密度、顯微組織及陶瓷性能的影響。無助劑納米AlN粉末進(jìn)行常壓燒結(jié)時(shí),1700℃【摘要】:本文采用碳熱還原法和自蔓延高溫合成法制備了AlN粉體,并且通過無壓和熱壓兩種方式,燒結(jié)出AlN陶瓷,利用XRD、SEM、EDS等手段,研究了AlN粉體的合成及燒結(jié)機(jī)制。結(jié)果表

 優(yōu)點(diǎn)：干壓成型法操作簡(jiǎn)單,工藝環(huán)節(jié)少,效率高。 缺點(diǎn)：不能壓制復(fù)雜幾何形狀的坯體；需嚴(yán)格控制壓力大小,過大或過小均不利于得到高致密度AlN陶瓷隨著AlN 粉體中的 O 含量由 0.85 wt%增大 1.46 wt%,AlN 陶瓷基板的熱導(dǎo) 率單調(diào)下降,抗彎強(qiáng)度單調(diào)上升。AlN 粉體中的 O 含量主要以粉體表面 Al2O3 的形 式存在,Al2O3 與燒結(jié)助劑 Y2反應(yīng)燒結(jié)制備AlN陶瓷的機(jī)理研究 戴英裴新美夏古俊南策文 【摘要】:以 Al、Al N粉為原料,采用反應(yīng)燒結(jié)技術(shù)制備 Al N陶瓷。用 XRD、SEM和 TG/ DSC等手段分析了反應(yīng)燒結(jié)過程,

【摘要】:以自蔓延高溫合成的AlN粉體為原料,用六面頂壓機(jī)在高壓(3.1～5.0GPa)下實(shí)現(xiàn)了未添加燒結(jié)助劑的AlN陶瓷體的燒結(jié).研究了燒結(jié)工藝參數(shù)對(duì)AlN燒結(jié)性能的影響為了降低工藝難度及成本,目前所采取的解決措施之一是添加可促進(jìn)AlN陶瓷燒結(jié)進(jìn)行的助劑,主要為稀土或堿土金屬的氧化物或氟化物,如Y2O3,CaO,Sm2O3,La2O3,YF,CaF2等,目前Y2O3是使用