sic外延調(diào)研報(bào)告

SiC碳化硅襯底:25萬(wàn)片6寸+5萬(wàn)片8寸碳化硅襯底項(xiàng)目啟動(dòng),第三成長(zhǎng)曲線打開(kāi) 1)事件:30萬(wàn)片SiC項(xiàng)目簽約上虞。11月4日,公司舉行"年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底本文調(diào)研和分析全球電動(dòng)汽車用6英寸SiC晶圓發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì),核心內(nèi)容如下: (1)全球市場(chǎng)總體規(guī)模,分別按銷量和按收入進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析,歷史數(shù)據(jù)年,預(yù)市場(chǎng)SiCCVD外延爐主要廠商基本情況介紹,包括公司簡(jiǎn)介、SiCCVD外延爐產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)、銷量、價(jià)格、收入及公司動(dòng)態(tài)等第10章:中國(guó)市場(chǎng)SiCCVD外延爐進(jìn)出口情況分析第11章:

lSiC外延:國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo),未來(lái)23年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。SiC外延需嚴(yán)格控制缺陷,工藝難度大,我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延爐新增市場(chǎng)空間約130/53億元,目前以意大利LPE(1、詳情內(nèi)容參考完整版研究報(bào)告,QYResearch專注為企業(yè)提供細(xì)分?jǐn)?shù)據(jù)分析報(bào)告目錄全球與中國(guó)SiC和GaN外延生長(zhǎng)設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)(2022版本)行業(yè)研究分析上海某某科技網(wǎng)絡(luò)有限全球及中國(guó)4英寸SiC外延片行業(yè)"十四五"規(guī)劃及發(fā)展戰(zhàn)略建議報(bào)告年 2022年全球4英寸SiC外延片市場(chǎng)銷售額達(dá)到了 億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到 億美元,年復(fù)

2、中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件標(biāo)準(zhǔn)解讀 1.4 本報(bào)告研究范圍界定說(shuō)明 1.5 本報(bào)告數(shù)據(jù)來(lái)源及統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明 1.5.1 本報(bào)告權(quán)威數(shù)據(jù)來(lái)源 1.5.2 本報(bào)告研究方法及統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明 第2章全球法國(guó)行業(yè)研究公司Yole報(bào)告數(shù)據(jù)顯示:2021年,用于功率器件的SiC襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)3億美元,外延的市場(chǎng)規(guī)模有望突破1億美元。 功率器件(包括SiC二極管、晶體報(bào)告預(yù)測(cè)2028年,全球SiC、GaN外延生長(zhǎng)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到84.15億元,預(yù)測(cè)期間內(nèi)將達(dá)到5.93%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率。 SiC、GaN外延生長(zhǎng)設(shè)備行業(yè)調(diào)研報(bào)告研究全

外延設(shè)備被行業(yè)四大龍頭企業(yè) Axitron、 LPE、TEL 和 Nuflare 所壟斷,中國(guó) SiC 外延技術(shù)發(fā)展起步較晚,難以進(jìn)入技術(shù)壁 壘較高的外延設(shè)備領(lǐng)域,故以外延晶片生產(chǎn)為主要切入方向。目前,碳化硅外延 晶片1：本報(bào)告核心數(shù)據(jù)更新2022年12月,以中國(guó)大陸地區(qū)數(shù)據(jù)為主,少量涉及全球及相關(guān)地區(qū)數(shù)據(jù)；預(yù)測(cè)區(qū)間涵蓋年,數(shù)據(jù)內(nèi)容涉及碳化硅行業(yè)產(chǎn)值、區(qū)域分布、市場(chǎng)規(guī)模、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)等。2：除一手公司產(chǎn)品主要包括 SiC 材料、功率器件和射頻器件。公司 FY2021 收入 5.26 億 美元:碳化硅材料收入 2.39 億美元,占比 45%碳化硅器件收入 2.87 億美元, 占比 55%。 材料方面,包括碳

根據(jù)QYResearch研究團(tuán)隊(duì)調(diào)研統(tǒng)計(jì),2022年全球SiC外延爐市場(chǎng)銷售額達(dá)到了 億元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到 億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為 %()。中國(guó)市場(chǎng)在過(guò)去幾年碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈上游為襯底材料、中游外延材料、下游為射頻器件和功率器件,以及終端應(yīng)用領(lǐng)域 新能源汽車、光伏、5G通信等領(lǐng)域。 1.上游分析:SiC襯底 從市占率角度來(lái)看,2020年全球SiC據(jù)介紹,姑蘇實(shí)驗(yàn)室"第三代半導(dǎo)體碳化硅外延設(shè)備"項(xiàng)目由姑蘇實(shí)驗(yàn)室與芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司攜手承擔(dān),于2020年底立項(xiàng),項(xiàng)目總投資1.128億元。 SiC上車成為趨勢(shì),不少企業(yè)加

SiC外延調(diào)研報(bào)告,碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈分為 SiC 單晶、SiC 外延片、SiC 器件、SiC 封測(cè)。碳化硅的應(yīng)用市場(chǎng)在中國(guó),我國(guó)占據(jù)了全球近一半的使用量。但目前來(lái)看,我國(guó)的碳化硅產(chǎn)業(yè)還很不完善,國(guó)內(nèi)從事碳化根據(jù)QYResearch研究團(tuán)隊(duì)調(diào)研統(tǒng)計(jì),2022年全球SiCCVD外延爐市場(chǎng)銷售額達(dá)到了 億元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到 億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為 %()。中國(guó)市場(chǎng)在過(guò)去內(nèi)容摘要 報(bào)告目錄 報(bào)告圖表 據(jù)GIR (Global Info Research)調(diào)研,按收入計(jì),2022年全球SiC外延爐收入大約 百萬(wàn)美元,預(yù)計(jì)2029年達(dá)到 百萬(wàn)美元,20232029期間,年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR

3）外延設(shè)備由國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo),未來(lái)23年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。意大利LPE、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)、日本的Nuflare占比達(dá)80%+,設(shè)備核心壁壘在于氣體流量的控制,國(guó)內(nèi)晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)等均在3、SiC外延:國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo),未來(lái)23年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代 以下為報(bào)告內(nèi)容節(jié)選: 關(guān)于市場(chǎng)分析報(bào)告 無(wú)論你從事什么行業(yè),都要做同行業(yè)分析,產(chǎn)品分析,市場(chǎng)調(diào)研,其目的是為了摸清市場(chǎng),其中, SiC、GaN 電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá) 44.7 億元,同比增長(zhǎng) 54%,襯底材料約 2.2 億元,外延 及芯片約 5 億元,器件及模組約 7.2 億元,裝臵約 30 億元,與前幾年相比

智研瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《年中國(guó)化合物半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研分析報(bào)告》詳細(xì)分析了化合物半導(dǎo)體器件定義及特點(diǎn)、全球化合物半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展環(huán)境及運(yùn)行現(xiàn)狀、中國(guó)化能訊半導(dǎo)體率先在國(guó)內(nèi)開(kāi)展了GaN材料與器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,公司擁有先進(jìn)的GaNonSi以及GaNonSiC外延工藝,可以滿足微波功率器件及電力電子器件的應(yīng)用需求。在制造方面,公司有用亞由于襯底具有一定缺陷,不適合在其上直接制造半導(dǎo)體器件,所 以襯底上一般會(huì)沉積一層高質(zhì)量的外延材料。導(dǎo)電型 SiC 襯底上一般再外延一層 SiC,然后用于制作功率器件,而半絕緣型 SiC

當(dāng)然,SiC 和 GaN 在應(yīng)用端各具優(yōu) 勢(shì)的同時(shí),亦能有效合作:在微波射頻領(lǐng)域,通過(guò)在半絕緣 SiC 襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵, 可以制備 SiC 基 GaNHEMT。這是現(xiàn)今制造 5G 基站功率放大器重本報(bào)告對(duì)目前主要的同質(zhì)SiC外延層的形貌缺陷研究進(jìn)行了介紹,并報(bào)道了團(tuán)隊(duì)關(guān)于SiC厚膜外延層中兩種新型形貌缺陷的表征研究,不僅豐富了SiC外延層形貌缺陷的樣本,而且擴(kuò)展了人們對(duì)【報(bào)告格式】 : 【文本+電子版+光盤(pán)】 【服務(wù)內(nèi)容】 : 【提供數(shù)據(jù)增值+更新服務(wù)】 目錄 調(diào)研顯示,2023年全球SiCCVD外延爐市場(chǎng)規(guī)模大約為 億元(人民幣),預(yù)計(jì)2031年將達(dá)

目前所有的碳化硅器件基本上都是在外延上實(shí)現(xiàn)的,外延環(huán)節(jié)是產(chǎn)業(yè)鏈的中間環(huán)節(jié),首先,器件的設(shè)計(jì)對(duì)外延的質(zhì)量性能要求高影響非常大,同時(shí)外延的質(zhì)量也受到晶體和襯底加工的影響,所以SICSiC材料及芯片制備主要工藝為單晶生長(zhǎng)、襯底切磨拋、外延生長(zhǎng)、掩膜沉積、圖形化、刻蝕、注入、熱處理、金屬互連等工藝流程共涉及幾十種關(guān)鍵半導(dǎo)體裝備。由于SiC材料具備高硬度、高碳化硅外延工藝是提高碳化硅器件性能及可靠性的關(guān)鍵。碳化硅外延是指在襯 底的上表面生長(zhǎng)一層與襯底同質(zhì)的單晶材料 4HSiC。目前標(biāo)準(zhǔn)化工藝是使用 4° 斜切的 4HSiC 單晶襯底,采