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    碳化硅工藝

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  • 碳化硅_百度百科

    碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或 

  • 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷燒結工藝_粉體技術_粉體圈

    碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性,在汽車、機械 

  • 成型溫度對多孔SiC 陶瓷性能的影響 IngentaConnect

    化和燒結工藝制備了多孔碳化硅陶瓷 研究了成型溫度對樣品的孔隙率、密度、熱膨脹 在80 成型的多孔碳化硅陶瓷綜合性能較佳, 過低的成型溫度使包覆在核殼結構 

  • 中文 個人主頁

    研究領域. 碳化硅器件工藝制造及其可靠性測試分析 2 ) 高壓碳化硅器件高溫氧化工藝技術研究, 主持, 院級, ( 3 ) 碳化硅高能高溫離子注入關鍵 

  • SiC 質耐火材料的碳化氮化制備及性能 IngentaConnect

    有學者采用埋碳燒成方法合成了氮化物和碳化. 物[4–7],但其所報道的埋碳燒成方法均是用來合成氮. 化物或碳化物原料。本研究采用該工藝直接制備. SiC 質耐火材料 

  • 新型反射鏡材料碳化硅 宇航材料工藝

    文摘對幾種常用反射鏡材料的物理性能和工藝性能進行了比較,研究了碳化硅輕質 工藝,結果認為:反應燒結是實現這種材料作為反射鏡材料的巨大潛力的有效的 

  • 功率器件工藝材料雙雄并起:SiC和GaN基礎器件與非網

    碳化硅的結構特性及優缺點. 碳化硅(SiC)俗稱金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化 

  • SiC 顆粒化學鍍銅工藝研究 中國材料進展

    結果表明: 取消了活化工藝后, 在碳化硅表面仍然得到了較好的銅包覆層。 關鍵詞: 碳化硅 化學鍍銅 活化工藝. 中圖分類號: TB333搖搖文獻標識碼: A搖搖文章編號: 

  • 研究人員發現低成本生產SiC的工藝 電子工程專輯

    2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實現低成本的SiC功率MOSFET 碳化 

  • SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領軍品牌

    完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制;. ? 全生產流程可控, 

  • 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷燒結工藝_粉體技術_粉體圈

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  • 時代電氣6英寸碳化硅(SiC)產業化基地技術調試圓滿完成_首頁_手機端

    2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件 

  • 碳化硅晶體產業化項目啟動 量產后可在多領域擺脫進口依賴能源

    2017年5月24日 碳化硅襯底片是典型的技術密集型和資金密集型產業,高良品率、高穩定性的長晶工藝技術是其核心。"中國兵器工業集團科學家魏化震表示, 

  • 中車時代電氣6英寸碳化硅(SiC)生產線首批芯片試制成功_首頁_株洲

    2018年1月30日 時代電氣半導體事業部6英寸碳化硅(SiC)生產線是國內首條6英寸SiC 實現SiC 二極管和MOSFET芯片工藝流程整合,成功試制1200V SiC肖特基 

  • 籽晶處理工藝對物理氣相傳輸法生長SiC 單晶的影響 硅酸鹽學報

    2010年8月8日 摘要:將塊體SiC 單晶中切割下的晶片經研磨、拋光和腐蝕不同工藝處理后作為籽晶,用物理 關鍵詞:碳化硅單晶;晶體生長;物理氣相傳輸法;籽晶.

  • β/α復合碳化硅技術陶瓷的制備工藝與性能研究《西安科技大學》2015

    【摘要】:碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化性能強、抗熱震性佳、熱穩定性強、熱膨脹系數低以及導熱系數高等優點,一直是材料學研究熱點之一。本文在前 

  • 碳化硅SiC陶瓷的燒結工藝簡述 佳日豐泰

    碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩定性,熱彭脹系數小,熱導率大,硬度高,抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。在汽車、機械化工、 

  • SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領軍品牌

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  • SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝 江蘇大學

    對碳化硅機械密封試樣端面進行激光表面微織構的加工工藝試驗研究, 和掃描速度等激光加工工藝參數對微凹腔和微凹槽織構的幾何形貌參數與加工質量的影響,結.

  • 微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展中國科學院微

    2015年4月27日 碳化硅電力電子器件研究團隊基于微電子所4英寸硅工藝平臺,對SiC MOS界面態來源與調控機理等開展了深入研究,開發了SiC柵氧化和氮化的柵 

  • 碳化硅 STMicroelectronics 意法半導體

    Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 

  • 深入探討碳化硅工藝:半導體材料的新一代繼承者世強元件電商

    2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展現出的優良特性以及功率半導體器件的需求持續增長,激勵著人們對其工藝與器件開發上孜孜不倦的追求。

  • sic[碳化硅]_互動百科

    碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的 

  • 碳化硅罐梭式窯生產工藝黃岡市中基窯爐有限公司

    您的位置: 首頁 > 碳化硅罐梭式窯生產工藝. 產品. 粉末冶金類 · 煉鋼海綿鐵類 · 釩鈦磁鐵礦海綿鐵類 · 紅土鎳礦海綿鐵隧道窯 · 碳化硅罐梭式窯生產工藝 · 直接還原 

  • 黑碳化硅微粉生產工藝流程淄博金晶川新材料科技有限公司

    2018年1月30日 黑碳化硅微粉經過多個工藝流程煉制成不同粒度,滿足不同工業需求,嚴格的原材料選配以及嚴格的生產工藝是質量的關鍵。一、原料.

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      由于當地天然砂石供應不足,該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求,看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機

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