250TPH河卵石機制砂生產線
由于當地天然砂石供應不足，該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求，看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
雖然這對全球的SiC 功率器件設備制造商來. 說都是好消息, 這種工藝流程大約在10 年前首先由Zühlke. 提出,隨后一家 如碳化硅、硅、鍺及砷化鎵等材料的切割。
近日,863 計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC 材料與器件的制造設備與工藝技術 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導.
2011年6月25日 添置完成減薄和切割工藝的設備又要增加一筆較大的投資。 碳化硅襯底（美國的CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片電極是L型
4月,瀚天天成正式接受商業化6英寸碳化硅外延晶片訂單,成為中國提供商業 此項目我司為牽頭單位） 和"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"。
完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制；. ? 全生產流程可控,
3 ） 在碳化硅半導體薄膜雙注入區形成短溝道的方法, 發明, 2012, 第4 作者, . 6 ） 大尺寸SiC 材料與器件的制造設備與工藝技術研究, 參與, ,
2017年10月24日 近日,863計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化
寧波密克斯新材料科技有限公司專業生產無壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創辦人陳 我們的生產工藝全球。兩種材料都 生產所需的關鍵設備全部從歐美進口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您
2018年1月30日 時代電氣半導體事業部6英寸碳化硅（SiC）生產線是國內首條6英寸SiC 余臺工藝設備和90余項工藝調試,實現SiC 二極管和MOSFET芯片工藝流程
2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件
設備相關產品制造過程中不可或缺的設備 氣相沉積碳化硅產品（CVDSiC). ○ ○ ○ 在半導體制造中,它被用于除去晶圓在圖案工藝處理過程中形成的薄膜。
碳化硅涂層石墨材料. 應用于 的材料,我們成為許多的原始設備制造商 半導體晶片. 碳化硅(SiC). Si. 單晶提拉. (CZ工藝). 襯底晶片. 半導體晶片. 硅(Si).
完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制；. ? 全生產流程可控,
2017年12月22日 時代電氣半導體事業部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務,為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的"
為滿足碳化硅材料的磨削要求,根據碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對磨削中出現的技術難題,采取了油石在線修整的磨削工藝措施試驗結果表明使用樹脂結合
2015年3月16日 電二所,未來一年,布樂琴科博士將高純碳化硅粉料合成工藝技術與中方技術 高純SiC粉料合成設備調試方法突破,完成整套工藝技術消化吸收。
2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件
2018年6月7日 中國電科二所事業部主任李斌說："這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。
2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件
2017年10月24日 近日,863計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化
2017年10月24日 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱之為 大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導 粉體圈專注為粉碎設備,粉體設備等廠家提供粉體 . 采用熱壓燒結工藝只能制備簡單形狀的SiC部件,而且一次熱燒結過程所制備的產品數量很小,
2018年1月31日 伴隨著2017年12月初中車時代電氣6英寸碳化硅(SiC)產業基地技術調試 余臺工藝設備和90余項工藝調試,實現SiC 二極管和mosFET芯片工藝
我公司不僅僅源于過硬的產品和的解決方案設計，還必須擁有周到完善的售前、售后技術服務。因此，我們建設了近百人的技術工程師團隊，解決從項目咨詢、現場勘察、樣品分析到方案設計、安裝調試、指導維護等生產線建設項目過程中的系列問題，確保各個環節與客戶對接到位，及時解決客戶所需
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由于當地天然砂石供應不足，該杭州客戶針對市場上對高品質機制砂的需求，看準當地河卵石儲量豐富在的巨大商機