250TPH河卵石機(jī)制砂生產(chǎn)線
由于當(dāng)?shù)靥烊簧笆?yīng)不足，該杭州客戶針對(duì)市場上對(duì)高品質(zhì)機(jī)制砂的需求，看準(zhǔn)當(dāng)?shù)睾勇咽瘍?chǔ)量豐富在的巨大商機(jī)
2003年2月11日 大計(jì)算量. 關(guān)鍵詞：碳化硅,陷阱效應(yīng),金屬)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,深能級(jí)陷阱,界面態(tài) 柵和漏電流的開態(tài)響應(yīng)滯后,使頻率特性造成偏差,. 在穩(wěn)態(tài)上表現(xiàn)為跨導(dǎo)及漏 度及狀態(tài)的描述會(huì)存在較大的偏差,一般采用脈沖. 測(cè)試方法從
2015年6月12日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
【摘要】：本文主要研究應(yīng)用于脈沖功率系統(tǒng)中的雙極型碳化硅半導(dǎo)體器件SiC BJT的快速驅(qū)動(dòng)電路,文中脈沖功率研究的是在SiC BJT基極追求極高的電流上升
特基二極管進(jìn)行測(cè)試,采用脈沖電子束感應(yīng)電流法. （P*EBIC）直接得到碰撞離化倍增系數(shù),排除了缺陷. 和邊緣效應(yīng)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響［3］ . 這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果為. 碳化硅
2014年1月8日 從事過鋁合金超塑性、彌散增強(qiáng)鉑合金、非晶儲(chǔ)氫合金、6.5wt%硅鋼片制備新技術(shù)、脈沖電流燒結(jié)技術(shù)、SiC/Al復(fù)合材料制備技術(shù)、金屬基燃料電池雙
本測(cè)試臺(tái)主要針對(duì)碳化硅器件特性專門設(shè)計(jì),可對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行浪涌電流試驗(yàn)； 脈沖寬度8.3ms,浪涌電流可加到50A； 脈沖寬度10us,浪涌電流可加到200A；保證
首先,基于電流回路的概念,將各部分寄生電感歸為以下3類：主開關(guān)回路寄生電感LD,柵極 考慮寄生電感的SiC MOSFET雙脈沖測(cè)試電路原理圖如圖1所示,Q為SiC
2018年1月2日 摘要：對(duì)碳化硅雙極型晶體管（silicon carbide bipolar junction . 其中,IB(m)為理想情況下的電流脈沖峰值；ton 為晶體管的導(dǎo)通時(shí)間；QB 為基極
2018年1月5日 CPMB工作溫度范圍為55℃~175℃,其連續(xù)漏極電流可達(dá)36A,脈沖漏極電流達(dá)80A。相較于其他同類產(chǎn)品,CPMB具有
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料, 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si . 而且MOSFET 原理上不產(chǎn)生尾電流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 時(shí),能夠明 . 分別搭成半橋電路,通過感性負(fù)載雙脈沖測(cè)試對(duì)開關(guān)波形進(jìn)行比較。 400V.
2016年7月4日 和Si IGBT 的輸出特性、漏電流、開關(guān)特性和器件損耗進(jìn)行了對(duì)比研究,分析了SiC 關(guān)鍵詞:碳化硅 輸出特性 漏電流 雙脈沖測(cè)試 Buck 電路.
與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,寬禁帶功率半導(dǎo)體的性能要出色得多,碳化硅和氮化鎵是 . 在t3時(shí)刻,窄脈沖到來,電路中電流已達(dá)到一定值,所以可以有效測(cè)試氮化鎵
2016年1月29日 <br> 以脈沖電流的占空比為單因素變量,探究了脈沖電流占空比對(duì)鎂合金表面脈沖電沉積NiSiC復(fù)合鍍層的微觀形貌、成分及性能的影響,研究表明,
【摘要】：本文主要研究應(yīng)用于脈沖功率系統(tǒng)中的雙極型碳化硅半導(dǎo)體器件SiC BJT的快速驅(qū)動(dòng)電路,文中脈沖功率研究的是在SiC BJT基極追求極高的電流上升
碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN) 等全新寬帶隙材料能夠支持大電壓和高切換速度,在新興 . 50 μs 超大電流快速. 脈沖測(cè)量. ?. 輕松且精確的(μΩ 分. 辨率) 導(dǎo)通電阻測(cè)量.
并采用雙脈沖實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證所設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的基本特性及確定門極電阻參數(shù)。 碳化硅（Silicon Carbride, SiC）是一種具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和漂移速度和高熱 . UDS保持截止時(shí)的高電平不變,電壓與電流產(chǎn)生重疊區(qū)域,MOSFET功耗。
2016年7月4日 和Si IGBT 的輸出特性、漏電流、開關(guān)特性和器件損耗進(jìn)行了對(duì)比研究,分析了SiC 關(guān)鍵詞:碳化硅 輸出特性 漏電流 雙脈沖測(cè)試 Buck 電路.
摘要：采用超聲波輔助脈沖電沉積復(fù)合鍍技術(shù)在銅基表面制備Ｎｉ－ＳｉＣ納米復(fù)合鍍層 使用單脈沖電流,脈沖 Ｄ４０－ＺＦ電動(dòng)攪拌調(diào)速器分散納米碳化硅粉；施鍍前要.
三菱電機(jī)的碳化硅功率器件的研發(fā)與搭載該器件的產(chǎn)品 有著優(yōu)異特性的碳化硅 碳化硅的帶隙約為單質(zhì)硅的三倍,即使在高溫時(shí)漏電流的增加也很少,可以確保高溫
2015年6月10日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料, 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si . 而且MOSFET 原理上不產(chǎn)生尾電流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 時(shí),能夠明 . 分別搭成半橋電路,通過感性負(fù)載雙脈沖測(cè)試對(duì)開關(guān)波形進(jìn)行比較。 400V.
2017年12月13日 碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地 通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來評(píng)估
首先,基于電流回路的概念,將各部分寄生電感歸為以下3類：主開關(guān)回路寄生電感LD,柵極 考慮寄生電感的SiC MOSFET雙脈沖測(cè)試電路原理圖如圖1所示,Q為SiC
2015年6月12日 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例, 充電和放電,此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。
它們可以實(shí)現(xiàn)增加工作效率和更高的電流密度、. 頻率和溫度。 . 區(qū)別的是高溫下的低漏電流,因?yàn)檫@允許SiC 器 來限制脈沖持續(xù)時(shí)間——而這會(huì)導(dǎo)致更高的熱應(yīng).
我公司不僅僅源于過硬的產(chǎn)品和的解決方案設(shè)計(jì)，還必須擁有周到完善的售前、售后技術(shù)服務(wù)。因此，我們建設(shè)了近百人的技術(shù)工程師團(tuán)隊(duì)，解決從項(xiàng)目咨詢、現(xiàn)場勘察、樣品分析到方案設(shè)計(jì)、安裝調(diào)試、指導(dǎo)維護(hù)等生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目過程中的系列問題，確保各個(gè)環(huán)節(jié)與客戶對(duì)接到位，及時(shí)解決客戶所需
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由于當(dāng)?shù)靥烊簧笆?yīng)不足，該杭州客戶針對(duì)市場上對(duì)高品質(zhì)機(jī)制砂的需求，看準(zhǔn)當(dāng)?shù)睾勇咽瘍?chǔ)量豐富在的巨大商機(jī)